一、新工藝即將出現(xiàn)

　　首先，技術(shù)的飛速進(jìn)步已經(jīng)超過(guò)了人們的想像，130nm（0.13微米）制程將在2001年正式啟用，并非1999年預(yù)測(cè)時(shí)的2002年。從0.18微米過(guò)渡到0.13微米不到兩年時(shí)間，由此可推斷0.1微米制造最早會(huì)在2003年初出現(xiàn)。不過(guò)，上述推測(cè)并沒有包括實(shí)際制造環(huán)境對(duì)技術(shù)發(fā)展帶來(lái)的影響，在現(xiàn)實(shí)世界中，引入一個(gè)新制程是非常困難的事情。不僅需要大量資金和設(shè)備，重新建造合適的廠房也需要一段時(shí)間，英特爾花了三年和近10億美元才研制出奔騰4，由此可見一斑。

　　僅僅提高電路平版印刷技術(shù)還不足夠，掩?？萍家残枰型黄?，才能在設(shè)計(jì)和測(cè)試中，減少度量錯(cuò)誤。此外，對(duì)于技術(shù)發(fā)展階段的命名也有大量的爭(zhēng)議，為了更精確地反映半導(dǎo)體技術(shù)的突破點(diǎn)，SC 2.0把0.1微米（100nm）制程改進(jìn)為0.091微米（91nm）。

　　再次，技術(shù)生產(chǎn)工具的變化大得令人吃驚，每月生產(chǎn)10萬(wàn)單位IC（integrate circuit，集成電路）芯片已經(jīng)是很平常的事，技術(shù)改革周期也縮短至三個(gè)月。按照上述發(fā)展速度，65nm、45nm、33nm、22nm制程將分別在2007、2010、2013、2016年出現(xiàn)。

　　新工藝的進(jìn)步促使了術(shù)語(yǔ)的改變，過(guò)去我們常用0.18、0.13mm（micron metric，微米），以后就要把單位改成nm（nanometer metric，納米、毫微米、十億分之一米），如：0.18微米 = 180納米，0.13微米 = 130納米，避免術(shù)語(yǔ)不同造成的混淆。                                                                           

                                                                                    

國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖
二、ITRS SC 2.0

　　1992-1997年的ITRS由美國(guó)SIA（Semiconductor Industry Association，半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)）來(lái)制訂，1999/2000年分為了五部分：美國(guó)、歐洲、日本、韓國(guó)和臺(tái)灣，共同合作來(lái)推出新預(yù)測(cè)，而且發(fā)展信息包括了平版印刷、設(shè)計(jì)、測(cè)試和處理整合等12個(gè)ITWG（international technology working groups，國(guó)際技術(shù)工作組）的意愿，準(zhǔn)確率比以前大為提高。

　　ITRS SC 2.0最重要的改變是加入了物理端MPU/ASIC門電路長(zhǎng)度的預(yù)測(cè)，而不再是僅僅提任可印刷門電路長(zhǎng)度的數(shù)據(jù)，它主要為微處理器制造商/高性能ASIC制造商服務(wù)，讓英特爾、AMD等公司了解到可印刷縮版和蝕刻版畫的種類。ITRS變得越復(fù)雜，越能反映實(shí)現(xiàn)，比如：130nm讓半導(dǎo)體制造商可以生產(chǎn)出幾種不同的晶體管：經(jīng)過(guò)優(yōu)化的用于高速設(shè)備，普通型用于手機(jī)，低能耗型的用于PDA。

三、發(fā)展不足之處

　　半導(dǎo)體制造工藝之所以能夠飛速成發(fā)展，原因是光學(xué)平版印刷的發(fā)展超過(guò)預(yù)期，基于KrF激光的248nm設(shè)備擁有光學(xué)接近修正、相位跳轉(zhuǎn)掩模和改良的抗阻，很容易擴(kuò)寬整個(gè)產(chǎn)品線。不過(guò)，到了100nm時(shí)代，248nm掃描器必須被193nm波長(zhǎng)的Arf激光設(shè)備所取代，而193nm平版印刷工具還沒成熟，甚至連透鏡建造層、鈣氟化物等基本的原料也未能充足供應(yīng)，制成品的質(zhì)量亦未能如意。至于157nm氟激光平版印刷，更是遙遠(yuǎn)的事情，也許要到70nm制程才能初出茅廬。

　　第二個(gè)發(fā)展緩慢的領(lǐng)域是門電路氧化物原材料，從純凈的二氧化硅變成氧氮化物（SiO2膜層涂上氮），其處理過(guò)程十分復(fù)雜，僅有少量公司能生產(chǎn)，而且并非完全純凈，還殘流了鉿氧化物或鋯氧化物。唯一令人欣慰的是，氧氮化物的發(fā)熱量比二氧化硅少一些，適合制造高速芯片。下一個(gè)ITRS發(fā)展會(huì)議將在2001年春季的法國(guó)格勒諾布爾舉行，希望到時(shí)能有所改進(jìn)。

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